n型导电和p型导电哪个好

若在本征半导体中掺人杂质元素，当杂质原子的能级处在半导体导带底部附近形成施主能级时，杂质原子中的电子容易跃入导带形成载流子，这种掺杂形成的半导体称为N型半导体当掺杂原子的能级处在半导体满带顶部形成受主能级时，满带中的电子跃入杂质能级后形成空穴载流子，这种掺杂形成的半导体称为P型半导体；当p型和n型半导体区域结合形成pn结时，两者之间的交界面会产生电荷分离，形成空间电荷区当加正向电压时，电流较大，而反向电压则会阻止大部分电流，形成单向导电性，这就是pn结的整流作用此外，光照下的pn结会产生光生伏特效应，用于制造半导体二极管和光电池等设备当反向电压超过一定阈值时；N型和P型半导体之间的主要区别在于它们的电导率和电荷载流子半导体的电导率由其电荷载流子的密度和迁移率决定在N型半导体中，掺杂过程引入的额外电子是主要的电荷载流子这些电子在晶格内相对自由地移动，有助于N型材料的高导电性在P型半导体中，主要的电荷载流子是掺杂过程产生的空穴虽然空穴通常被；这两种类型的半导体在电子设备中有不同的应用例如，在制造晶体管时，通常需要同时利用P型和N型半导体材料来形成PN结，这是晶体管的核心部分，用于控制电流的流动总；阐述什么是半导体pn结 以电子为多数载流子的半导体和以空穴为多数载流子的半导体通过冶金等方法结合在一起，结合处就是pn结了 怎么用霍尔法判断N型半导体和P型半导体 当Is与Im都为正值时，霍尔电压Vh为正则为p型为负是n型 P型半导体是什么N 型半导体是什么 型半导体中空穴导电，空穴带正；2 负载载流子类型不同P型和N型单晶硅片中，负载载流子的类型不同P型单晶硅片中，空穴是主要的载流子，电子只是微弱的少数而N型单晶硅片中，则是电子是主要的载流子，空穴只是微弱的少数3。

本文主要介绍了N型和P型半导体的基本区别和特性首先，它们的共同之处在于都包含半导体中的两种载流子价带中的空穴和导带中的电子N型半导体以电子为主导导电，通过掺入施主杂质，如五价元素砷磷等，使电子成为多数载流子，其导电性能随杂质增多而增强而P型半导体则是以空穴为主导导电，通过掺入。

纯净半导体中掺入微量的杂质元素，形成的半导体称为杂质半导体半导体根据掺入的杂质元素的不同，可以分为P型半导体和N型半导体二极管有PN结，采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界处形成空间电荷区称之为PN结，PN结具有单向导电性；对于非重金属材料而言，如果其导电方式是电子导电，那么通过霍尔效应实验测得的霍尔电压会显示显示器顶部电势高于底部，从而判断为N型半导体反之，如果测得的霍尔电压显示显示器顶部电势低于底部，则说明导电方式是空穴导电，样品为P型半导体霍尔效应实验的基本原理是当电流通过导体并受到垂直于电流方向的。

由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电这些不能移动的带电粒子在P和N区。