n型导电和p型导电 黄铁矿

本文主要介绍了N型和P型半导体的基本区别和特性首先，它们的共同之处在于都包含半导体中的两种载流子价带中的空穴和导带中的电子N型半导体以电子为主导导电，通过掺入施主杂质，如五价元素砷磷等，使电子成为多数载流子，其导电性能随杂质增多而增强而P型半导体则是以空穴为主导导电，通过掺入。

这种说法是错误的，不论是P型还是N型半导体，它们本身是不带电的，也就是保持电中性区别只是载流子的浓度不同，P型中的空穴浓度大于自由电子浓度，而N型中自由电子浓度远大于空穴浓度“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母在这类半导体中，参与导电的 即电荷载体 主要是带正电的空穴。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素如硼，使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成掺入的杂质越多，多子空穴的浓度就越高，导电性能就越强N型半导体也称为电子型半导体N型。

对于非重金属材料而言，如果其导电方式是电子导电，那么通过霍尔效应实验测得的霍尔电压会显示显示器顶部电势高于底部，从而判断为N型半导体反之，如果测得的霍尔电压显示显示器顶部电势低于底部，则说明导电方式是空穴导电，样品为P型半导体霍尔效应实验的基本原理是当电流通过导体并受到垂直于电流方向的。

相同点 都包含两种载流子无论是N型还是P型半导体，它们都包含价带中的空穴和导带中的电子这两种载流子 都呈电中性尽管它们的导电机制不同，但N型和P型半导体在整体上都保持电中性 导电性能受杂质浓度影响在两种半导体中，导电性能都受到杂质浓度的直接影响杂质越多，相应的导电载体浓度越高。

当p型和n型半导体区域结合形成pn结时，两者之间的交界面会产生电荷分离，形成空间电荷区当加正向电压时，电流较大，而反向电压则会阻止大部分电流，形成单向导电性，这就是pn结的整流作用此外，光照下的pn结会产生光生伏特效应，用于制造半导体二极管和光电池等设备当反向电压超过一定阈值时。

若在本征半导体中掺人杂质元素，当杂质原子的能级处在半导体导带底部附近形成施主能级时，杂质原子中的电子容易跃入导带形成载流子，这种掺杂形成的半导体称为N型半导体当掺杂原子的能级处在半导体满带顶部形成受主能级时，满带中的电子跃入杂质能级后形成空穴载流子，这种掺杂形成的半导体称为P型半导体。

P型半导体与N型半导体的主要区别在于它们的导电性能和掺杂类型P型半导体，即ldquo正型半导体rdquo，是通过在纯净的半导体材料中掺入少量的三价元素如硼铝镓等而形成的这些三价元素每个原子都有三个价电子，与半导体材料中的四个价电子相比，少了一个因此，当这些三价元素被掺入。

这两种类型的半导体在电子设备中有不同的应用例如，在制造晶体管时，通常需要同时利用P型和N型半导体材料来形成PN结，这是晶体管的核心部分，用于控制电流的流动总。

3 电位特性在电场作用下，N型半导体通常呈现负电位，即电子的流动方向是从正极到负极而P型半导体则呈现正电位，空穴的移动方向相当于正电荷的流动方向这种电位特性决定了它们在电子器件中的应用方式以上就是N型半导体和P型半导体的异同由于它们在导电机制和电位特性上的不同，使得它们在电子器件。